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IXSN 80N60BD1
160
A
140
4000
nC
T VJ = 100°C
V R = 300V
80
A
T VJ = 100°C
V R = 300V
I F
120
100
80
60
T VJ = 25°C
T VJ =100°C
T VJ =150°C
Q r
3000
2000
I F =120A
I F = 60A
I F = 30A
I RM
60
40
I F =120A
I F = 60A
I F = 30A
40
20
1000
20
0
0
1
2
V
0
100
A/ μ s 1000
0
0
200
400
600
A/ μ s
800 1000
V F
Fig. 17. Forward current I F versus V F
-di F /dt
Fig. 18. Reverse recovery charge Q r
versus -di F /dt
-di F /dt
Fig. 19. Peak reverse current I RM
versus -di F /dt
2.0
1.5
K f
1.0
I RM
t rr
140
ns
130
120
110
T VJ = 100°C
V R = 300V
I F =120A
I F = 60A
I F = 30A
20
V
V FR
15
10
t fr
V FR
1.6
μ s
1.2
0.8
t fr
100
0.5
0.0
0
40
Q r
80
120 °C 160
90
80
0
200
400
600
A/ μ s
800 1000
5
0
0
T VJ = 100°C
I F = 60A
200 400
600
0.4
0.0
A/ μ
800s 1000
T VJ
Fig. 20. Dynamic parameters Q r , I RM
versus T VJ
1
-di F /dt
Fig. 21. Recovery time t rr versus -di F /dt
di F /dt
Fig. 22. Peak forward voltage V FR and
t fr versus di F /dt
Constants for Z thJC calculation:
K/W
0.1
Z thJC
0.01
i
1
2
3
4
R thi (K/W)
0.3073
0.3533
0.0887
0.1008
t i (s)
0.0055
0.0092
0.0007
0.0399
0.001
0.0001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
D SEP   2x61-06A
s 1
Fig. 7
Transient thermal resistance junction to case
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
6,404,065B1
6,162,665
6,534,343 6,583,505
of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
6,306,728B1
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
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